采用ECR-PECVD技术低温生长多晶硅薄膜

摘要：

在自行设计研制的先进电子回旋共振(ECR)等离子体增强化学气相沉(PECVD)装置上,采用”ECR-PECVD”可控活化低温外延技术,以SiH4+H2为气源,硅和普通玻璃为衬底,低温(≤550℃)制备多晶硅薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、透射电子显微镜(TEM)和原子力显微镜(AFM)研究了SiH4流量、H2流量和衬底温度等工艺参数的改变对薄膜晶化的影响.通过分析薄膜结构和形貌,得出适宜低温生长多晶硅薄膜的工艺参数.

关键词： ECR-PECVD 多晶硅薄膜 反射高能电子衍射 电子回旋共振 低温外延

作者: 秦福文 吴爱民 王艳艳 冯庆浩 李伯海

作者单位: 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006北京国际材料周暨中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 235-240

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）