高压条件下聚吡咯薄膜的生长

摘要：

在高压条件下(300MPa),采用化学氧化原位聚合法在清洁的石英基片上制备得到了均匀导电的聚吡咯(PPy)薄膜.利用原子力显微镜测量和分析了PPy薄膜的表面形貌和厚度,确立了300MPa反应条件下PPy薄膜的生长曲线.实验结果表明,高压条件对薄膜的生长影响很大.在其他反应条件相同的情况下,高压条件下薄膜生长过程中的诱导期和聚合期与常压条件相比明显缩短.这说明高压条件所导致的反应液黏度的增加和自由基吸附的加强是薄膜生长加速的关键因素。

关键词： 聚吡咯薄膜 原位聚合法 高压条件 薄膜生长

作者: 顾大伟 袁丕方 金鑫 王新生 沈临江

作者单位: 南京工业大学理学院,南京,210009

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006北京国际材料周暨中国材料研讨会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 231-234

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）