2k SRAM重离子微束单粒子翻转实验研究

摘要：

2005年1月西北核技术研究所、中国原子能科学研究院物理研究所、中国电子科技集团公司第四十七研究所三家单位联合协作在国内首次开展了针对2k SRAM的重离子微束单粒子效应研究,取得了初步的实验结果,实验结果表明:截止NMOS和PMOS的漏区是SEU的敏感区域,但敏感度不同,截止NMOS漏区是单粒子翻转最敏感的区域.当存贮状态发生改变时,敏感区域发生改变,但敏感区基本呈对称结构.SRAM重离子微束实验方法的建立为今后更好的开展此项工作奠定了良好基础.

关键词： SRAM 重离子微束 单粒子翻转 反偏漏区

作者: 罗尹虹 郭红霞 陈伟 姚志斌 张凤祁 郭刚 苏秀娣 陆虹

作者单位: 西北核技术研究所,陕西西安,710024 中国原子能科学研究院物理研究所,北京,102413 中国电子科技集团公司第四十七研究所,辽宁沈阳,110032

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 536-542

在线出版日期: 2006-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）