平面工艺Si-PIN低能X射线探测器研制

摘要：

本文叙述了用平面工艺技术制备Si-PIN低能X射线探测器的工艺方法.为了减小探测器的漏电流,采用了表面钝化和保护环技术.文章给出了厚度500μm,灵敏面积分别为5 mm2、10mm2的不同探测器在室温下漏电流测量结果以及5mm2的探测器在室温及温差电致冷条件下对55Fe5.9KeV X射线的能谱响应测量结果.

关键词： 平面工艺 X射线探测器 Si-PIN探测器 能量分辨率

作者: 张万昌 何高魁 黄小健 乌如恭桑 孙亮

作者单位: 中国原子能科学研究院,北京,102413

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国核电子学与核探测技术学术年会

会议地点: 西安

会议语种:中文

页码: 332-335

在线出版日期: 2006-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）