一种改进的脉冲CVI工艺——强制脉冲CVI
以脉冲化学气相渗透工艺为基础,通过引入强制方式,使气体前驱物从纤维束中流过,经过数秒达到一定压力,保持气体在高温反应腔内驻留数秒,然后将反应容器内的气体抽除,至达到预定真空度后重新充入反应物气体;如此循环,实现强制脉冲化学气相渗透(FP-CVI)沉积界面.利用该工艺,在热解C界面沉积过程中发现,随单次驻留时间的增加,热解C层厚度先增加后减小,并且其结构逐渐由各向异性向各向同性转变.这是由于高温下随着驻留时间延长,甲烷逐渐向芳香族环状碳化物和多环碳化物转变,裂解生成碳的缘故.H2/MTS=4时,在1050℃、15kPa条件下得到的均匀一致的SiC界面.XRD发现,不同条件下得到的SiC以(111)面取向为主,为β型。
脉冲CVI工艺 SiC PyC 沉积界面 脉冲化学气相渗透 环状碳化物 多环碳化物
周清 董绍明 张翔宇 丁玉生 王震 黄政仁 江东亮
中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049
国内会议
北京
中文
156-160
2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）