MEMS可调谐长波长垂直腔半导体光放大器的波长调谐特性
采用传输矩阵法对反射模式下的微机电可调谐垂直腔半导体光放大器的波长调谐特性进行研究.不同于以往的耦合腔方法,该方法避免了对有效腔长及增益增强因子的计算过程,所得结果直接与器件的物理结构相对应.得出了载流子浓度不同时的3dB带宽、空腔长度与谐振波长的关系、量子阱堆位置对极值增益及3dB带宽的影响,模拟计算的结果与实验的结果相吻合.
半导体光放大器 波长调谐 传输矩阵 MEMS 微机电系统
王欣 罗斌 李建平
西南交通大学,信息科学与技术学院光通信实验室,成都,610031
国内会议
成都
中文
567-570
2006-12-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)