空间用高效薄硅太阳电池耐辐照特性研究

摘要：

文章对空间用高效薄硅太阳电池的耐辐照特性进行了研究,研究中采用1MeV能量的电子对高效薄硅太阳电池进行了辐照试验,随着辐照剂量的增加,薄硅太阳电池的电性能衰降加剧,辐照导致半导体材料内部产生各种缺陷,且缺陷产生的数量与辐照剂量有直接关系,这些缺陷形成的复合中心和俘获中心是导致太阳电池性能下降的原因.薄硅太阳电池的倒金字塔表面陷光结构、0.13mm的基体厚度和浅发射结均有利于提高其耐辐照性能.

关键词： 空间 太阳电池 耐辐照性能

作者: 杜永超 欧伟 任靖 李国海 韩志刚 王景霄

作者单位: 天津电源研究所,天津,300381

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国宇航学会飞行器总体专业委员会2006年学术研讨会

会议地点: 湖南张家界

会议语种:中文

页码: 348-351

在线出版日期: 2006-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）