基于EKV的RF MOFET模型

摘要：

本文提出了一种基于EKV的RF MOSFET模型.主要在原有EKV模型的基础上加入了一些外部寄生部分,比如栅极电阻,覆盖电容以及衬底网络等,用来表征器件的的RF特性.针对该模型,对0.25μm CMOS工艺的体硅MOSFET进行了直流参数的提取,并通过优化拟和得到RF寄生参量,在5GHz内测试和仿真的结果吻合得较好.

关键词： EKV MOSFET模型 RF模型 微波集成电路

作者: 徐晓俊 孙玲玲 刘军

作者单位: 杭州电子科技大学CAD所,杭州

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 359-363

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）