GaAs PHEMT大功率高线性开关的研究
PHEMT材料采用外延手段生长有源层,可以得到比普通GaAs单晶片更好的器件特性,在相同条件下,PHMET器件的功率特性和线性性能均要好于MESFET器件.利用GaAs PHEMT集成电路的设计和工艺技术,研制开发移动通信用的GaAs MMIC大功率高线性单刀双掷开关集成电路,产品具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0.6dB,隔离度大于28dB,在2GHz,插损为0.7dB,隔离度大于20dB,并且具有较高的功率处理能力,其P-0.1≥10W.产品由GaAs圆片标准PHEMT工艺线加工,成本低,并且采用低费塑料封装,产品各项性能指标均达到了国外同类产品水平.
砷化镓 单刀双掷 高线性 大功率开关 微波单片集成电路 塑料封装
许正荣 刘桂友 陈新宇 翁长羽
南京电子器件研究所,南京,210016
国内会议
贵阳
中文
351-354
2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）