X波段GaAs MMIC六位数控移相器芯片研制

摘要：

采用集总元件的高通/低通网络构成移相网络和GaAs MESFET作为开关控制器件,利用南京电子器件研究所标准的0.5um PHEMT MMIC制造工艺,研制出X波段单片六位数字移相器.该移相器在工作频带内64个移相态具有移相精度高(EMS≦1.5°)、输入输出驻波好(≦1.4)和较低的插入损耗(≦7.5dB)与插损变化(＜±0.5dB)等优良的电特性.芯片尺寸为3.1mm ×2.5mm ×0.1mm.

关键词： 砷化镓 移相器 高电子迁移率场效应晶体管 微波单片集成电路

作者: 潘晓枫 沈亚 蒋幼泉

作者单位: 南京电子器件研究所,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 308-310

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）