S波段4W SiC MESFET器件研制

摘要：

本论文介绍了S波段4H-SiC MESFET功率管的材料设计、制作工艺和微波性能.采用半绝缘衬底的自主研制的SiC三层外延片,成功制作出单胞1mm栅宽的芯片.经过装架、压丝,未作内匹配,单管器件在S波段2GHz频率连续波下,输出功率为4.1W,小信号增益大于10dB,漏极效率η为35.5％.

关键词： 碳化硅 金属半导体场效应管 宽禁带半导体 微波性能

作者: 陈刚 柏松 张涛 汪浩 李哲洋 陈雪兰 蒋幼泉

作者单位: 南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家级重点实验室,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 296-298

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）