GaAs平面PIN二极管单刀单掷开关单片

摘要：

采用GaAs平面PIN二极管,完成DC～26.5GHz的单刀单掷开关的设计、制作.宽带单刀单掷开关单片带内差损小于0.5dB,26.5GHz处隔离度22dB.开关单片采用离子注入技术的GaAs平面工艺加工制作.

关键词： GaAs PIN二极管 单刀单掷开关

作者: 陈新宇 许正荣 蒋幼泉 李拂晓

作者单位: 南京电子器件研究所,210016,CHNC

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 292-295

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）