2.1GHz 0.25μm CMOS低噪声放大器的设计

摘要：

介绍了一个针对无线通讯应用的2.1GHz低噪声放大器(LNA)的设计.该电路采用Chartered 0.25μmCMOS工艺,电源电压为2.5V,设计中使用了多个电感,详述了设计过程并给出了优化仿真结果.模拟结果显示,该电路能提供21.63dB的正向增益(s21),功耗为12.5mW,噪声系数为2.1dB,1dB压缩点为-19.0541 dBm.芯片面积为0.8×0.6mm2.

关键词： 低噪声放大器 CMOS工艺 噪声系数 射频集成电路

作者: 黄海云 孙玲玲 文进才 王卉 张晓红

作者单位: 杭州电子科技大学微电子CAD研究所,浙江,杭州,310018

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 113-117

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）