一种应用于W-CDMA GaAs集成功率放大器的设计
本文给出了一种采用GaAs HBT工艺,可应用于宽带码分多址(W-CDMA)3G无线通信标准的功率放大器设计.偏置电路采用电容线性化技术,极大的提高了功率放大器的线性.后仿真显示,输入频率在1.95GHz处,功率增益为26.4 dB,P1dB为30.6 dBm,饱和输出功率为32 dBm.输出功率Pout为28 dBm时,功率附加效率PAE为41％;偏离中心频率5MHz的邻近通道功率抑制比ACPR1约为-36.1 dBc,偏离中心频率10MHz的次邻近通道功率抑制比ACPR2约为-52.2dBc.电路工作在3.4 V.
功率放大器 W-CDMA 异质结晶体管 单片微波集成电路
文进才 孙玲玲
杭州电子科技大学微电子CAD所,杭州,310018
国内会议
贵阳
中文
109-112
2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）