2～25/4～50GHz超宽带单片有源倍频器的设计

摘要：

本文论述了基于0.18μm GaAs PHEMT工艺的超宽带单片有源二倍频器的设计,其电路结构包含了有源巴仑、倍频以及宽带放大器三个部分.在2～25 GHz的输入频率下,当输入功率为0dBm时,实现了约7～10 dBm的二次谐波输出,基波抑制度也达到了20dBc以上.直流供电电流约100mA,功耗仅约500mW.

关键词： 倍频器 超宽带MMIC 宽带放大器

作者: 陈茄 刘宇 杨自强 杨涛

作者单位: 电子科技大学电子工程学院,成都,610054

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年中国西部青年通信学术会议

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 603-606

在线出版日期: 2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）