900MHz高效率GaAs HBT GSM手机功率放大器

摘要：

采用2μm GaInP/GaAs HBT工艺研制了GSM 900MHz制式终端应用功率放大器.放大器为3级,输出级匹配电路在PCB上实现,芯片尺寸:0.9×0.8 mm2.在3.2V、880～915 MHz下,达到:小信号增益(S21)35dB,输入驻波≤1.2,输出功率(Pout)≥33dBm,最大功率附加效率(PAE)≥52％.

关键词： 异质结双极型晶体管 全球移动通信系统 功率放大器

作者: 应海涛 郑远 钱峰 翁长羽 李拂晓 邵凯

作者单位: 南京电子器件研究所,江苏南京,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 372-374

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）