大功率MMIC芯片真空共晶工艺研究

摘要：

采用了助焊剂涂敷、酒精清洗合金表面、合金片共晶、砂布擦除和合金涂敷这五种方法,研究了大功率MMIC芯片真空共晶工艺.结果发现合金涂敷法能有效的抑制表面氧化层的产生,从而使共晶的空洞控制在2.5％以内.满足了大功率微波电路中,GaAs芯片有良好的接地和散热性能,提高了系统的可靠性.

关键词： MMIC芯片 微波电路 真空共晶工艺

作者: 季兴桥 高能武 陆吟泉 李悦

作者单位: 中国电子科技集团第二十九研究所,610036

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006全国第十一届微波集成电路与移动通信学术年会

会议地点: 贵阳

会议语种:中文

页码: 199-202

在线出版日期: 2006-09-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）