0.18μm CMOS工艺高速双模分频器设计
基于0.18μm CMOS工艺设计了10/11双模分频器的电路,用源耦合场效应管逻辑实现静态D触发器单元设计,利用H-spice对设计电路进行仿真.电路完成了芯片版图,后仿真结果表明输入时钟在3.33GHz时,10分频和11分频逻辑正确.芯片面积为0.5*0.375mm2,功耗108mW.
分频器 CMOS D触发器
蒋东铭 黄风义 严菲 陆静学
东南大学射频与光电集成电路研究所,210096,南京
国内会议
贵阳
中文
186-189
2006-09-01(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)