MgO(111)上NbN和AlN薄膜的生长研究

摘要：

在制备NbN/AlN/NbN隧道结的工艺过程中,为了获得具有优质单晶结构的NbN薄膜,我们在MgO(111)基片上探索了直流溅射法制备NbN薄膜的生长工艺条件,XRD研究分析表明,我们获得了单晶结构良好的NbN薄膜;为了支持作为上电极的NbN薄膜的生长,也需要良好的AlN薄膜用作势垒层,我们采用射频磁控溅射设备和纯净的Al靶对AlN薄膜进行了制备研究.实验结果表明,所获得的AlN薄膜具有六方c-轴取向,并讨论了衬底和薄膜界面处可能的结构情况.

关键词： 氮化铌薄膜 氧化镁基片 直流溅射法 单晶结构 氮化铝薄膜

作者: 陈亚军 康琳 蔡卫星 施建荣 赵少奇 吉争鸣 吴培亨

作者单位: 南京大学电子科学与工程系超导电子学研究所,南京,210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第八届全国超导薄膜和超导电子器件学术会议

会议地点: 长春

会议语种:中文

在线出版日期: 2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）