制备45°双外延超导结的新工艺
我们使用脉冲激光沉积方法对YBa2Cu3O7-d(YBCO)薄膜在MgO基片上通过CeO2/YSZ双缓冲层的生长进行了系统的研究,发现MgO单晶基片的表面质量是决定能否得到理想外延薄膜质量的关键因素,通过使用低能离子束对MgO表面进行轰击,以增加其表面粗糙度和去除变质层,得到了具有100％面内45°旋转的YBCO外延膜,其临界电流密度77K时在106A/cm2量级.通过湿法刻蚀得到的双外延Josephson结表现出RSJ特性.
YBCO薄膜 双外延超导结 低能离子束
李壮志 王福仁 孟树超 马平 聂瑞娟 戴远东
北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
国内会议
长春
中文
2004-08-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）