掺杂氧化钇的ZnO非线性电阻片电性能和微观结构特征

摘要：

本文研究了含不同氧化钇量ZnO 压敏电阻片的电位梯度,方波容量,和U5kA/U1mA 压比等电气性能.随着氧化钇含量的增加,电位梯度持续增加(最高达到367v/mm),当氧化钇的含量为0.3-0.7mol％时,压比,方波容量性能最好(分别为1.65 和246J/cm3).同时分析了上述电性能特征形成在微观结构上的原因.通过能谱分析,X射线衍射分析确定了含钇晶间相的成分范围和主晶相化学组成比(Y1.5Sb0.5O3.5).

关键词： ZnO压敏电阻片 电位梯度 电气性能 氧化钇 非线性电阻片

作者: 马军 王玉平

作者单位: 西安电瓷研究所,西安,710077

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电工技术学会电工陶瓷专业委员会2006 年学术年会

会议地点: 北京

会议语种:中文

在线出版日期: 2006-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）