改进汉明码检错纠错技术的设计与实现
单粒子翻转效应(SEU)是目前造成微处理器失效的主要原因.在高可靠微处理器的的抗SEU设计中,检错纠错码技术通常被用于保护各种存储器和寄存器.传统汉明EDAC技术对于同一码字中的单位错误具有较高的纠检错能力,但是对多位出错的情况将导致误纠和误检.本文提出了一种改进汉明码检错纠错方法,大大提高了对于多位错误的检错纠错能力.本文从面积、延时开销和性能的角度将改进的汉明码和传统的汉明码进行了分析和比较,并且在FPGA上分别实现了两种算法.实际证明,改进明码具有较高的性价比.
单粒子翻转效应 微处理器 检错纠错码 改进汉明码
陈微 戴葵 王志英
国防科学技术大学计算机学院,410073
国内会议
福建武夷山
中文
193-199,192
2006-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）