W/Ti合金靶材的制备及性能研究
随着超大规模集成电路(ULSI)工艺技术的不断进步,半导体器件特征尺寸在不断缩小,连接器件的金属布线向多层化和细微化发展,布线金属正由传统的Al向新兴的Cu转变.但铜在硅中的扩散速度比铝高,1000°C Al在 Si中的扩散系数为7× 10-13 cm2/sec, 而Cu在Si中的扩散系数为4× 10-6 cm2/sec ,铜进入硅中会充当深能级受主杂质的角色使得器件的性能大幅度下降.对掺硼的硅元件,铜还会与硼发生反应形成化合物,使硼的有效掺杂浓度降低.在半导体和金属铜之间引入一层扩散阻挡层,来阻止铜向硅中扩散,是解决这一问题的有效措施.一些难熔金属如W、Ti、Mo、Ta及其合金,被尝试用作扩散阻挡层材料.含Ti为10～20wt％的W-Ti合金作阻挡层具有良好的综合性能,成为该用途的主导材料.本文介绍 W/Ti合金靶材的制备及性能。
超大规模集成电路 金属布线 WTi合金靶材 扩散阻挡层材料
储茂友 王星明 王赞海
北京有色金属研究总院,北京,100088
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2006-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）