MOS晶体管中辐射引起的陷阱正电荷的强压退火

摘要：

电离辐射在MOS结构的SiO<,2>层中建立正陷阱电荷，这些正陷阱电荷在正栅偏压下迅速减少，这是由于正栅压引起硅衬底中的电子向SiO<,2>导注入，从而与陷阱正电荷复合。正栅压退火不仅对N沟MOS结构非常有效，对P沟MOS结构也有一定的影响。该文给正栅压退火的实验结果，并阐明了栅压退火机理。

关键词： 电离辐射 退火 时间依赖响应

作者: 姚育娟 张正选 姜景和 何宝平 罗尹虹 张正选

作者单位: 西北核技术研究所(西安) 西安交通大学(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 72～76

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）