薄栅氮化物的击穿特性

摘要：

研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明：MOS栅介质中引入一定的N后，能提高介质的电荷击穿强度，电荷击穿强度受N<,2>O退火温度的制约；N对薄栅介质击穿电场强度影响较小，击穿电场受高场栅偏压极性的制约。用一定模型解释了实验结果。

关键词： 电离辐射 热载子损伤 MOS 击穿

作者: 张国强 陆妩 艾尔肯 余学锋

作者单位: 中国科学院新疆物理研究所(乌鲁木齐)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 188～191

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）