非加固CMOS器件54HC04<”90>Sr-<”90>Y源辐射效应研究

摘要：

该文给出了非加固CMOS器件54HC04利用<”90>Sr-<”90>Y源半导体辐射效应在线测量系统进行的电离辐射效应研究结果。在国内首次给出了器件在连续辐照状态下的效应数据。研究结果：非加固的54HC04的抗辐射水平在1-3×10<”2>Gy。

关键词： 电离辐射 辐射效应 CMOS器件 阈值电压

作者: 吴国荣 张正选 周辉 罗尹虹

作者单位: 西北核技术研究所六室(西安)

会议类型: 国内会议

会议名称: 第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会

会议地点: 江苏扬州

会议语种:中文

页码: 90～95

在线出版日期: 1999-05-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）