两种抗SEU存储单元加固技术的分析与比较

摘要：

本文介绍了EDAC和TMR技术的原理、特点.通过在FPGA上进行实现,从面积开销、延时开销和性能的角度对这两种技术进行了分析和比较。结果表明,TMR适用于加固单个寄存器或存储器单元,而EDAC更适合于寄存器文件或嵌入式存储器的保护。

关键词： 微处理器 抗单粒子翻转 存储单元保护 检错纠错码 三模冗余

作者: 陈微 戴葵 龚锐 刘芳 王志英

作者单位: 国防科学技术大学计算机学院,长沙,410073

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006中国计算机学会体系结构专委会学术年会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 153-156

在线出版日期: 2006-08-17（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）