GaAs MMIC大功率高线性单刀双掷开关

摘要：

利用现今较为成熟的GaAs PHEMT材料及其标准工艺和集成电路的设计技术,研制开发了一种移动通信用的GaAs MMIC单刀双掷大功率高线性开关集成电路,具有承受功率大,线性度高的特点,在1GHz,插损为0.6dB,隔离度大于28dB,在2GHz,插损为0.7dB,隔离度大于20dB,并且具有较高的功率处理能力,其P-0.1≥10W.产品由GaAs圆片标准PHEMT工艺线加工,采用低费通用塑料封装,封装形式SOIC-8,其性能指标达到国外同类产品水平.

关键词： 开关集成电路 大功率开关 双掷开关 移动通信 功率处理能力

作者: 刘桂友 许正荣 陈新宇 翁长羽

作者单位: 南京电子器件研究所,南京,210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006年中国通信集成电路技术与应用研讨会

会议地点: 成都

会议语种:中文

页码: 33-36

在线出版日期: 2006-12-07（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）