GaN/AlxGa1-xN异质结带阶及其单量子阱中束缚电子能态的计算

摘要：

采用半经验的Slater-Koster参数紧束缚方法以及Tersoff理论研究了GaN/AlxGa1-xN(X=0.1,0.2,…,0.5)异质结的带阶.结果表明,GaN/AlxGa1-xN异质结的价带带阶与Al的含量有着很好的线性关系.此外,还计算了GaN/AlxGa1-xN单量子阱中的束缚电子态的本征能量,并根据计算得到的结果预测了GaN/AlxGa1-xN单量子阱中电子的带间跃迁.

关键词： 异质结 带阶 能带结构

作者: 姜慧纯 刘福庆 蒋昌忠 刘昌

作者单位: 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届中国可信计算与信息安全学术会议

会议地点: 河北保定

会议语种:中文

页码: 899-901

在线出版日期: 2006-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）