ZnO薄膜的激光脉冲沉积制备及Cr+注入后的微结构
采用脉冲激光蒸发沉积法(PLD)在硅(100)衬底上生长ZnO薄膜,随后用能量为150 keV,剂量为5×1015 cm-1的Cr+注入薄膜.利用卢瑟福背散射方法(RBS)分析注入离子组分;用原子力显微镜研究薄膜表面形貌,表明薄膜晶粒生长致密,表面粗糙度较小;X射线衍射(XRD)分析表明薄膜具有明显的c轴择优生长取向,摇摆曲线的(0002)峰尖锐,半高峰宽(FWHM)为1.12°.通过透射电镜的高分辨图像,发现ZnO薄膜呈现柱状生长,晶粒完整.Si衬底与ZnO单晶薄膜之间存在一层明显的非晶层,且由于表面应力作用,在ZnO薄膜底部存在位错.在单晶ZnO柱状顶部,存在离子注入损伤导致的缺陷.
脉冲激光蒸发沉积法(PLD) ZnO 离子注入
韩林 梅菲 刘昌
武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072
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892-895
2006-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）