脉冲激光沉积法在Si基片上生长BNT铁电多层薄膜

摘要：

采用脉冲激光沉积(PLD)技术,在Si(100)基片上直接制备了c轴一致取向的LSCO(La0.5S0.5CoO3)电极层和Bi3.15Nd0.85Ti3O12(BNT)铁电薄膜,并利用X-射线衍射、扫描电镜分析测定了薄膜的相结构、取向和形貌特征;利用高频阻抗分析仪和多功能铁电仪研究了其铁电特性.另外,还考察了沉积温度和氧压对BNT薄膜微结构、取向、形貌和铁电特性的影响,优化了BNT薄膜的沉积条件.在优化条件下制备得到的BNT薄膜的C-V曲线具有典型的蝴蝶形特征.由其P-E电滞回线测试得其剩余极化强度为2Pr=32.6μC/cm2,矫顽电场为2Ec=69kV/cm,表明该薄膜具有较好的电极化反转存储特性.

关键词： Bi8.15Nd0.85Ti3O12 铁电性 无缓冲层 Si基 脉冲激光沉积技术

作者: 张华刚 李美亚 李少珍 于本方 魏建华 赵兴中

作者单位: 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072;武汉大学,教育部声光材料与器件重点实验室,湖北,武汉,430072

会议类型: 国内会议

会议名称: 第二届中国可信计算与信息安全学术会议

会议地点: 河北保定

会议语种:中文

页码: 880-883

在线出版日期: 2006-10-21（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）