高性能(Na0.52K0.48-x)(Nb1-x-yTayO3)-xLiSbO3无铅压电陶瓷

摘要：

采用传统电子陶瓷工艺制备了无铅压电陶瓷(Na0.52K0.48-x)(Nb1-x-yTayO3)xLiSbO3.实验结果表明,LiSbO3与Ta5+的引入提高了陶瓷的压电性能,在一定配比范围内,材料为正交、四方相共存的钙钛矿结构,在此范围内材料的压电常数d33在288-308 pC/N,机电耦合系数kp、kt分别达到51％、47％.介电损耗tg为2.0％,居里温度在310-365 ℃之间.

关键词： 无铅压电陶瓷 铌酸盐 机电耦合系数 居里温度

作者: 明保全 王矜奉 亓鹏

作者单位: 山东大学物理与微电子学院,山东,济南,250100

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国电子学会第十四届电子元件学术年会

会议地点: 西宁

会议语种:中文

页码: 401-403

在线出版日期: 2006-08-15（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）