ICP干法刻蚀技术在Ⅲ-Ⅴ族化合物中的应用

摘要：

简单介绍了ICP(inductively coupled plasma)刻蚀的基本原理,深入研究不同的工艺参数对于InP 端面刻蚀的影响,同时报道了ICP刻蚀技术在InP基光电子器件制作方面的进展和应用前景.

关键词： 感应耦合等离子体 干法刻蚀 InP 刻蚀速率

作者: 陈磊 张靖 毛谦

作者单位: 武汉邮电科学研究院,武汉,430074;武汉光讯科技股份有限公司,武汉,430074 武汉光讯科技股份有限公司,武汉,430074 武汉邮电科学研究院,武汉,430074

会议类型: 国内会议

会议名称: 武汉市第二届学术年会通信学会2006年学术年会

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 53-55

在线出版日期: 2006-10-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）