中子发生器中二次电子的抑制问题
中子发生器主要由离子源、加速系统和靶等组成.当D+离子束轰击靶时,产生中子的同时,在靶面也产生二次电子,形成二次电子流,导致电源负荷加重,靶压下降,从而影响中子产额,因此在中子发生器中需要采取各种方法抑制二次电子流.本文讨论了中子发生器中二次电子流的产生机制,并讨论了几种抑制方法.模拟计算表明,在法拉第圆筒的基础上加上电场抑制,能很好地抑制二次电子流的产生.
二次电子 中子发生器 电场抑制
金大志 石磊 戴晶怡 杨中海
电子科技大学,物理电子学院,四川,成都,610054;中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900 中国工程物理研究院,电子工程研究所,四川,绵阳,621900 电子科技大学,物理电子学院,四川,成都,610054
国内会议
武汉
中文
175-178
2006-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）