几种SOI结构的重粒子与质子辐照模拟研究

摘要：

针对以SiO2及以Al2O3、Si3N4为埋层的SOI结构,利用SRIM软件进行了重粒子和质子辐射的模拟.在分析不同入射角度及能量对各种辐射损伤的影响后,重点模拟了100keV质子和1MeV F离子对三种SOI结构以及等厚度体硅结构的辐射,对比分析了不同结构条件下的损伤状况.

关键词： SOI结构 重粒子 质子 辐射损伤 入射角

作者: 赵玉清 王炎武

作者单位: 西安交通大学,710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 164-166

在线出版日期: 2006-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）