轻元素掺杂对铒在晶体硅中微观结构的影响

摘要：

利用离子束背散射沟道技术分析测量了室温条件下轻元素杂质掺入Si:Er系统后,对铒在硅中微观结构的影响.初步结果显示,轻元素氧的掺入可以抑制铒在高温退火时向硅表面的扩散,减少退火时晶格缺陷的浓度,改变铒在硅晶体中的晶格位置.

关键词： 离子注入 背散射 离子束沟道 轻元素掺杂 铒 晶体硅

作者: 任晓堂 王忠义 谢大林

作者单位: 北京大学物理学院重离子物理教育部重点实验室 北京大学重离子物理研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006全国荷电粒子源、粒子束学术会议

会议地点: 武汉

会议语种:中文

页码: 114-116

在线出版日期: 2006-10-14（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）