用光胶做挡光层的紫外光刻掩膜及用于在聚碳酸酯芯片表面制备金属微电极

摘要：

紫外光谱研究表明,AZ正性光胶当厚度大于10μm时,在200-285 nm的紫外光区几乎不透光.本文研制了一种以AZ光胶做挡光层、石英玻璃做底板的紫外光刻掩膜.应用该掩膜对聚碳酸酯(PC)表面进行以低压汞灯为光源的选择性光化学改性,在光照区域形成化学镀所需的催化中心后,采用化学镀技术,在PC毛细管电泳芯片上制备安培检测用的集成化金微电极.

关键词： 光刻掩膜 AZ光胶 聚碳酸酯 光化学改性 金微电极

作者: 孔泳 陈恒武 云晓 郝振霞 方肇伦

作者单位: 浙江大学,化学系,微分析系统研究所,浙江,杭州,310028

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国化学会第九届分析化学年会暨全国原子光谱学术会议

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 1285-1286

在线出版日期: 2006-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）