热退火对SnS薄膜的物相结构的影响

摘要：

在络合剂EDTA存在且溶液的酸度值为2.1,离子浓度比Sn2+∶EDTA∶S2O32-=1∶1∶4条件下,控制沉积电位为-1.00V(vs.SCE)用阴极恒电位电沉积法在ITO导电玻璃基片上沉积了一系列致密性、均匀度较好的SnS薄膜.在不同温度下对它们进行热退火处理2 h,然后对热退火处理过的薄膜进行X-射线衍射(XRD)分析,得知热退火对其晶体结构影响较大,热退火温度设置为200℃时,薄膜的晶体结构得到很好的改善,晶粒尺寸最大,晶胞参数与标准值最接近.

关键词： 电沉积 SnS薄膜 热退火 XRD

作者: 何英杰 程树英

作者单位: 福州大学,食品安全分析与检测教育部重点实验室,化学系,福建,福州,350002 福州大学,电子科学与应用物理系,福建,福州,350002

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国化学会第九届分析化学年会暨全国原子光谱学术会议

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 430-431

在线出版日期: 2006-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）