氯霉素在玻碳电极上的伏安行为及测定

摘要：

氯霉素在玻碳电极上(GCE),在pH 5.33的B-R缓冲液中,约-0.55 V(vs.SCE)电位处产生一个阴极还原峰,其浓度在3.0×10-6-5.4×10-5 mol/L的范围内与峰电流成正比,最低检测限(D=3 σ/K)为0.19 μmol/L.并用微分脉冲伏安法(DPV)、循环伏安法(CV)、线性扫描伏安法(LSV)等对氯霉素在GCE上的电化学氧化还原进行了较为详细的研究.

关键词： 氯霉素 玻碳电极 微分脉冲伏安法

作者: 刘丽红 张兰 陈国南

作者单位: 福州大学食品安全分析与检测技术教育部重点实验室,福建,福州,350002;福州大学福建交通职业技术学院,福建,福州,350007 福州大学食品安全分析与检测技术教育部重点实验室,福建,福州,350002

会议类型: 国内会议

会议名称: 中国化学会第九届分析化学年会暨全国原子光谱学术会议

会议地点: 南昌

会议语种:中文

页码: 807-808

在线出版日期: 2006-10-10（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）