反向偏置下碲镉汞环孔PN结耗尽区电容的计算

摘要：

采用突变结近似,对反向偏置下碲镉汞(HgCdTe)环孔PN结耗尽区电容的计算方法进行了分析和讨论,给出了若干条件下的计算结果,表明与有关理论分析的结论是吻合的.

关键词： PN结 环孔PN结 电容 碲镉汞

作者: 王忆锋 庄继胜

作者单位: 昆明物理研究所,云南,昆明,650223

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006光学、激光、红外技术学术交流会

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 1139-1141

在线出版日期: 2006-12-04（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）