Si衬底GaN LED材料生长及芯片制备

摘要：

本研究在硅衬底上生长了高质量的无裂纹GaN薄膜并制备了多量子阱LED结构,通过把外延层热压焊到另一个硅衬底上并去除生长衬底,实现了外延层的转移,制备了出光面为N型层的垂直结构LED芯片.通过对芯片表面进行粗化处理,大大提高了芯片的发光强度.对制备的硅衬底GaN LED的光电参数和可靠性进行了全面的测量和分析.

关键词： 硅衬底 薄膜 芯片 发光强度

作者: 江风益 王立 莫春兰 方文卿 郑畅达

作者单位: 晶能光电江西有限公司,南昌,330047;南昌大学教育部发光材料与器件工程研究中心,南昌,330047

会议类型: 国内会议

会议名称: 2006光电器件及光电显示产业论坛

会议地点: 北京

会议语种:中文

页码: 15-20

在线出版日期: 2006-12-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）