GaInP/(In)GaAs/Ge三结叠层太阳电池光电流的改进

摘要：

本文针对所研制GaInP/(In)GaAs/Ge三结叠层太阳电池光电流较低的问题,分别对底电池、中电池和顶电池进行了理论分析与设计.Ge底电池窗口层设计的改进、(In)GaAs中电池适合含量In的引入、GaInP顶电池r/p结构设计改进,以及宽禁带隧穿结材料的选用,使得电池短路电流密度Jsc显著提高,达到16.5～17.5mA/cm2,GaInP/(In)GaAs/Ge三结叠层太阳电池光电转换效率由此达到27.3﹪(AM0,25℃).

关键词： 太阳电池 光电流 窗口层设计 中电池 场助收集效应

作者: 涂洁磊 张忠卫 王亮兴 池卫英 陈超奇 万斌 曾隆月 陈鸣波

作者单位: 上海空间电源研究所,200233,上海

会议类型: 国内会议

会议名称: 第九届中国宇航学会空间能源学术年会

会议地点: 上海

会议语种:中文

页码: 126-131

在线出版日期: 2005-04-01（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）