808 nm波长阵列半导体激光器单光纤耦合输出
设计并研制了808nm波长阵列半导体激光器(LDA),器件腔长为1mm,总宽度为10mm,发光区宽度为200μm,周期为400μm,发光单元总数为25,金属微通道冷却连续输出功率为40W.采用折叠镜面方式对阵列激光器的输出光束进行对称化变换,得到一方形光斑,在两个正交方向采用柱透镜聚焦后与单根多模光纤进行了阵列耦合,采用600μm芯径、数值孔径0.22的光纤,实现了阵列激光器与单根光纤间的高效率耦合光输出,耦合后输出功率达到30W.
激光技术 半导体激光器 光纤耦合 光束整形
高欣 薄报学 曲轶 李辉 张晶
长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022
国内会议
四川绵阳
中文
56-58
2005-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）