高性能1.3μm InGaAsN量子阱半导体激光器

摘要：

利用金属有机气相沉积(MOCVD)生长了InGaAsN量子阱半导体激光器材料,采用脉冲阳极氧化(PAO)技术制作了脊型波导半导体激光器.制作的条宽为100μm,腔长为1500μm的激光器在室温下可实现最高962mW的单面连续功率输出,阈值电流密度约为256A/cm2.在1.5A电流下,激光器的峰值波长为1297nm,最大斜率效率为0.42W/A.在20～80℃温度下,激光器的特征温度为138K.激光器在100℃下可以正常工作.

关键词： 激光技术 InGaAsN量子阱 脉冲阳极氧化 半导体激光器

作者: 曲轶 张晶 李辉 高欣 薄报学

作者单位: 长春理工大学高功率半导体激光国家重点实验室,吉林,长春,130022

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十七届全国激光学术会议

会议地点: 四川绵阳

会议语种:中文

页码: 53-55

在线出版日期: 2005-10-19（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）