25-33GHz单片低噪声放大器的研制

摘要：

我们设计制作的25-33GHz单片低噪声放大器,采用电子束制作0.20μm”T”型栅,在频带内的噪声系数小于2.3dB,小信号增益大于15dB,增益平坦度小于±0.5dB,输入和输出驻波比分别小于2,芯片尺寸为3.0×1.9×O.1mm3,微波性能与国外同类产品水平相当.

关键词： 低噪声放大器 T型栅 电子束

作者: 王民娟 刘玉贵 刘如青 曾志 王维军 丁奎章

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 434-438

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）