Ta反应离子刻蚀特性的研究

摘要：

人通过应用SF6、C12、O2、He2、CHF3等不同比例的混合气体的反应离子刻蚀技术,对金属钽Tantalum(Ta)薄膜的刻蚀特性进行了研究.实验表明:在射频功率为200W、电极间距为9mm、工作压力为190mtorr,SF6和C12的流量分别为20sccm和30sccm的条件下,可以获得高达21.7nm/s的刻蚀速率.原子力显微镜(AFM)和扫描电镜(SEM)表明:在其它条件下不变的条件下,通过降低工作压力可以获得陡直刻蚀图形.在用混合气体SF6、O2的反应离子刻蚀时,适量的氧气可以提高薄膜的刻蚀速率.

关键词： 刻蚀 等离子体 刻蚀特性 刻蚀速率 金属钽薄膜

作者: 赵玉印 杜寰 韩郑生

作者单位: 中国科学院微电子研究所

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 414-418

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）