φ60mm×600μm硅PIN探测器的γ、n甄别能力研究

摘要：

在γ、n混合场中测量脉冲辐射时,探测器的γ、n甄别能力是使用者特别关注的特性之一,本工作针对φ60mm×600μm硅PIN新型半导体探测器,用质能吸收系数法计算了γ灵敏度,用国外文献中提供的截面相关数据计算了中子灵敏度;对其部分能量点的γ、n灵敏度进行了实验测量检验;研究结果表明:对于6MeV以内的中子,φ60mm×600μm硅PIN探测器的γ灵敏度均高于相应能量的中子灵敏度,中子能量越低,探测器γ甄别能力越高;当γ能量为3MeV以上时,探测器的γ甄别能力均大于10.该类探测器这种特性,对于在γ、中子混合场中测量γ辐射,提高探测信噪比是有益的.

关键词： PIN探测器 中子灵敏度 γ灵敏度 信噪比

作者: 胡孟春 宋献才 叶文英 李忠宝 张三阳 周殿忠 楼福洪 李如荣 唐章奎 周刚

作者单位: 中国工程物理研究院核物理与化学研究所,四川绵阳,621900 中国工程物理研究院电子工程研究所,四川绵阳,621900

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 366-370

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）