双层侧壁保护的硅深槽刻蚀工艺技术研究

摘要：

本文介绍一种先进的ICP硅深槽刻蚀工艺,在刻蚀周期中引入少量的O2,形成由CFx聚合物淀积和氧离子幅照产生的双层保护层,强烈保护硅槽侧壁不被刻蚀,保证了高的各向异性刻蚀,有效的改善了硅深槽侧壁形貌,使得侧壁平坦光滑.

关键词： ICP 硅 双层侧壁保护 各向异性刻蚀

作者: 邓建国 刘英坤 张振宇 苏丽娟 段雪

作者单位: 中国电子科技集团公司电子十三所,河北,石家庄,050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 351-353

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）