高选择比反应离子刻蚀(RIE)设备

摘要：

高选择比反应离子刻蚀(RIE)设备,主要应用于器件制造中Si、Si3N4材料的刻蚀”1”.本文介绍了一种用于硅的高选择比反应离子刻蚀设备,刻蚀选择比≥5∶1.着重阐述了该设备的结构组成、工艺原理及控制方法.

关键词： RIE 刻蚀 工艺原理 高选择比

作者: 陈特超 李军阳 禹庆荣 张冬艳 李健志 周大良 任伟 任伟

作者单位: 中国电子科技集团公司第四十八研究所,410111

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 346-350

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）