SiOx薄膜的制备及发光特性研究

摘要：

本论文采用双离子束溅射沉积技术制备了非晶的Si-SiO2薄膜,XPS的测试表明Si是以单原子或低价氧化物的形态存在于薄膜内;在波长为240nm紫外光的激发下,室温及1000℃退火后Si-SiO2薄膜的PL谱图显示样品中存在峰位分别处于320nm,410nm,560nm,630nm四个相互分离的峰,其发光机制分别为来自中性氧空位缺陷(≡Si-O-O-Si≡2)、双配位硅悬挂键(O-Si-O)、非桥氧空位中心以及其他缺陷所形成的发光中心.

关键词： SiOx薄膜 双离子束 溅射 光致发光

作者: 李群 梁坚 吴雪梅 诸葛兰剑

作者单位: 东华理工学院物理系,江西抚州,344000 苏州大学物理科学与技术学院,江苏苏州,215006

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会

会议地点: 长沙

会议语种:中文

页码: 316-319

在线出版日期: 2005-12-26（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）